LED知識(shí)產(chǎn)權(quán)危機(jī)迫在眉睫

我國(guó)LED發(fā)明和上游專利比重小

　　我國(guó)LED專利主要集中于中下游領(lǐng)域，中游封裝、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的專利占申請(qǐng)總量的64%。在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，仍缺乏核心專利。

　　從全球LED專利的演變進(jìn)程看，我國(guó)LED專利的申請(qǐng)進(jìn)程落后于日本、美國(guó)，錯(cuò)過(guò)了第1階段的專利技術(shù)前期研發(fā)階段和第2個(gè)階段的專利技術(shù)培育孵化階段，而直接進(jìn)入了專利技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段。其所產(chǎn)生的影響是我國(guó)LED專利發(fā)展的不均衡。從專利類型上看，我國(guó)LED專利以實(shí)用新型及外觀設(shè)計(jì)專利為主，發(fā)明型專利占比較低，其中國(guó)內(nèi)LED實(shí)用型專利占比為59%，外觀設(shè)計(jì)專利占比為15%，而LED發(fā)明專利占比僅為26%。

　　我國(guó)LED專利主要集中于中下游領(lǐng)域，中游封裝、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的專利占申請(qǐng)總量的64%。其中LED應(yīng)用申請(qǐng)量最大，約占專利總量的43%，LED封裝占比約21%，外延及芯片占比分別為18%和17%，襯底占比約1%。外延方面，國(guó)內(nèi)的量子阱以及緩沖層技術(shù)專利與國(guó)外存在量與質(zhì)的差距。芯片方面，國(guó)內(nèi)的芯片外形技術(shù)、表面粗糙化技術(shù)和襯底剝離與鍵合技術(shù)專利欠缺。封裝方面，我國(guó)專利技術(shù)發(fā)展迅速，但基座材料專利和熒光材料專利與國(guó)外存在差距。特別是在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，我國(guó)仍缺乏核心專利，如藍(lán)光LED激發(fā)熒光粉發(fā)白光技術(shù)、圖形襯底技術(shù)、LED芯片垂直結(jié)構(gòu)技術(shù)、倒裝封裝技術(shù)以及脈沖寬度調(diào)制(PMW)電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)等。